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EC-80P是由日本Napson公司推出的手持式涡电流非接触式量测设备。
2023-11-27 
napson电阻测量仪 电阻计 热电阻 电阻率PVE-80的介绍简单的测量仪器，只需将样品插入探头之间即可测量在电阻率/薄层电阻测量模式之间轻松切换通过 JOG 拨盘轻松设置测量条件*由于探头为固定型，请在购买前从多种类型中选择一种。
产品型号：PVE-80厂商性质：经销商更新时间：2023-04-15访 问 量：400
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napson电阻测量仪 电阻计 热电阻 电阻率PVE-80的介绍
napson电阻测量仪 电阻计 热电阻 电阻率PVE-80的介绍
以脉冲电压励磁法为测量原理的非接触式电阻测量系统，可在不损坏样品的情况下进行测量。
节省空间的设计主体，便携式可拆卸舞台
通过PC（专用软件）轻松进行测量操作、数据存储和管理
可根据应用改变测量显示单位（薄层电阻、电导率、电导率）
*本产品采用本公司与千叶大学共同开发的脉冲电压励磁方式
新材料/功能材料（碳纳米管、DLC、石墨烯、银纳米线等）
导电薄膜（金属、ITO等）
化合物半导体（GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等）
~ A4 尺寸 (W300 x D210mm)
50μ 至 1mΩ/sq
便于携带和测量的便携式薄层电阻测量仪：DUORES
可根据测量对象更换两种类型的探头（非破坏型和接触型）。
• 款可与两种类型的探头（非破坏型和接触型）互换使用的便携式薄层电阻测量仪
• 只需放置/应用探头即可自动测量
• 电池连续工作时间：24 小时（*电池使用中）
显示数据数：最多 100（*从最近的数据显示）
• 保存数据数：最大50,000（*通过专用软件显示）
• 测量数据传输功能：USB-Mini
• 显示：3种显示单位（Ω/□、S/□、n/m [金属膜厚度换算） ]), 4 位浮点数 (0.000 到 9999)
* 我们也只出售主机 + 非破坏型探头，主机 + 接触式探头。
节省空间，使用个人电脑轻松操作和数据处理
非接触式涡流法可实现无损伤测量
探头可拆卸和更换，因此每个量程的探头都可以轻松更换。
（*可选用于第二个和后续电阻探头）
1 中心点测量
厚度和温度修正功能（硅晶圆）
半导体/太阳能电池材料（硅、多晶硅、SiC等）
新材料/功能材料（碳纳米管、DLC、石墨烯、银纳米线等）
导电薄膜（金属、ITO等）
硅基外延、 ion Injection sample
化合物半导体相关（GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等）
其他（*请联系我们）
3 至 8 英寸，~156 x 156 毫米
（可??；2 英寸或 12 英寸，~210 x 210 毫米）
[电阻率] 1m 至 200 Ω?cm
（*所有探头类型的总范围/当厚度为 500um 时）
[薄层电阻] 10m 至 3k Ω/sq
（*所有探头类型的总范围）
只需触摸手持探头即可测量电阻
在电阻率/薄层电阻测量模式之间轻松切换
通过 JOG 拨盘轻松设置测量条件
可互换连接器连接的电阻测量探头支持各种电阻
（电阻探头：最多可使用2+PN判断探头）
半导体/太阳能电池材料（硅、多晶硅、SiC等）
新材料/功能材料（碳纳米管、DLC、石墨烯、银纳米线等）
导电薄膜（金属、ITO等）
硅基外延、 ion Injection sample
化合物半导体相关（GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等）
其他（*请联系我们）
不受样品尺寸和形状的影响（但是，大于 20 mmφ 且表面平坦的样品）均可测量
[电阻率] 1m 至 200 Ω?cm
（*所有探头类型的总范围/当厚度为 500um 时）
[薄层电阻] 10m 至 3k Ω/sq
节省空间，使用个人电脑轻松操作和数据处理
非接触式涡流法可实现无损伤测量
探头可拆卸和更换，因此每个量程的探头都可以轻松更换。
（*可选用于第二个和后续电阻探头）
1 中心点测量
半导体/太阳能电池材料（硅、多晶硅、SiC等）
新材料/功能材料（碳纳米管、DLC、石墨烯、银纳米线等）
导电薄膜（金属、ITO等）
硅基外延、 ion Injection sample
化合物半导体相关（GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等）
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