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日本Coper Electronics 介绍一种功率半导体热阻测试仪瞬态热阻测量仪

更新时间：2024-04-15      浏览次数：129
　　介绍一种功率半导体热阻测试仪。
 
　　热阻测量器
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瞬态热阻测试仪系列
 
　　瞬态热阻测量仪是测量IGBT/MOS-FET/Diode/BJT等的瞬态热阻的装置。
 
　　BJT瞬态热阻测量仪是向集电极·发射极间施加指的定的功率，使芯片温度上升，求出其前后的微小电流(Im)引起的基极·发射极间电压差(ΔVBE)的装置。 这样可以推测试料的热阻。
 
　　IGBT瞬态热阻测量仪与BJT瞬态热阻测量仪一样，是计算栅极发射极之间电压差(ΔVGE)的测量仪。
 
　　P-MOS FET瞬态热阻测量仪与BJT瞬态热阻测量仪一样，是计算栅极和源极之间电压差(ΔVGS)的测量仪。
 
　　可以在BJT瞬态热阻测试仪的基极、发射极之间测量二极管的δVF。
 
　　◇主要规格

施加电压

2~30/100/600/1200V

通电电流

0.1至30/100/200/500/1000 a

电力施加宽度

100、200和500μs
1、2、5、10、20、50、100、200、500 ms
1S，2S，30S，DC

测量电流( Im )

1至1~99/199/999mA

测量范围

ΔVBE: ~999/1999mV (但VBE MAX: 3V )
ΔVGS/VGE: ~999/1999/9990mV (但VGS/VGE MAX: 20V )

采样点

Td 50~990μS
 
　　※热电阻测量仪有功率限制，电压、电流施加时间会限制可测量的区域。 此外，根据规格的不同，装置的大小和重量会有很大的变化。 上述规格仅为一个例子，设计、制作需要详细协商。
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